版权说明 操作指南
首页 > 成果 > 详情

压缩真空场中量子存储单元的消相干特性

认领
导出
Link by 中国知网学术期刊 Link by 万方学术期刊
反馈
分享
QQ微信 微博
成果类型:
期刊论文
作者:
张登玉
通讯作者:
Zhang, D.-Y.
作者机构:
[张登玉] Dept. of Phys., Hengyang Teachers' Coll., Hengyang 421008, China
通讯机构:
[Zhang, D.-Y.] D
Dept. of Phys., Hengyang Teachers' Coll., China
语种:
中文
关键词:
压缩真空库;两能级原子;量子存储单元;简并双光子;消相干
关键词(英文):
Decoherence;Degenerate two-photon;Quantum memory cell;Squeezed vacuum reservoir;Two-level atom
期刊:
光电子·激光
ISSN:
1005-0086
年:
2002
卷:
13
期:
6
页码:
614-616
基金类别:
湖南省中青年科技基金资助项目 (0 0 JZY2 13 6);
机构署名:
本校为第一机构
院系归属:
物理与电子工程学院
摘要:
两能级原子作为量子存储单元,当存储单元置于压缩真空库(人工制备的库)时,利用存储单元约化密度算符非对角元的时间演化,研究单光子过程和简并双光子过程中存储单元的消相干特性.在压缩真空库中,可以消除量子存储单元的消相干.
摘要(英文):
The two-level atom is regarded as quantum memory cell when the quantum memory cell is put in a squeezed reservoir. Using the time evolution properties of non-opposite angle element of quantum memory cell's reducible density rectangular array, decoherence properties of quantum memory cell is studied. Quantum memory cell's decoherence can be el...

反馈

验证码:
看不清楚,换一个
确定
取消

成果认领

标题:
用户 作者 通讯作者
请选择
请选择
确定
取消

提示

该栏目需要登录且有访问权限才可以访问

如果您有访问权限,请直接 登录访问

如果您没有访问权限,请联系管理员申请开通

管理员联系邮箱:yun@hnwdkj.com