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一种自适应的IDW插值方法

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成果类型:
专利
发明/设计人:
颜金彪;段晓旗;曾敏;刘媛;孙湘艳;...
申请/专利权人:
衡阳师范学院
专利类型:
发明专利
语种:
中文
申请时间:
2018-05-21
申请/专利号:
CN201810489227.5
公开时间:
2018-09-28
公开号:
CN108595387A
主申请人地址:
421002 湖南省衡阳市珠晖区衡花路16号
申请地区:
421002 湖南省衡阳市珠晖区衡花路16号
机构署名:
本校为其他完成单位
主权项:
1.提出一种自适应的IDW插值方法:步骤一:数据预处理包括3个子部分:<img file="643597DEST_PATH_IMAGE001.TIF" wi="14" he="15"/>数据清理:将位于同一位置、存在压盖情况的空间点保留其中任意一个;<img file="436103DEST_PATH_IMAGE002.TIF" wi="14" he="15"/>将清理过后的空间点生成Delaunay三角网,并剔除边界区域长边所在的三角形,确保样本点面积的准确性;<img file="91207DEST_PATH_IMAGE003.TIF" wi="14" he="14"/>计算单位面积内样点的分布密度——λ。
摘要:
本发明提出一种自适应的IDW插值方法,旨在为空间点数据插值提供更为精确的方法支持。本发明先将点数据进行预处理,再对待插值空间点二阶半径、一阶半径内高密度显著性分析,若二阶半径内为高密度显著,则将二阶半径范围内的样点作为参考点参与到IDW插值中,否则进行一阶半径内高密度显著性分析,若一阶半径内高密度显著,则将一阶半径范围内的点作为参考点进行IDW插值。若一阶、二阶半径内空间样点均不高密度显著,则将待插值点的一阶邻近点作为IDW插值的局部搜索点,进行IDW插值。

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