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铋膜修饰玻碳电极用于线性扫描溶出伏安法测定铝箔中痕量镓

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成果类型:
期刊论文
作者:
匡云飞;邹建陵;冯泳兰;邓培红;凌爱华;...
作者机构:
衡阳师范学院,化学与材料科学系,衡阳,421008
[杨颖群; 冯泳兰; 匡云飞; 邹建陵; 刘梦琴; 邓培红; 屈景年; 凌爱华; 李薇] 衡阳师范学院
语种:
中文
关键词:
铋膜修饰玻碳电极;线性扫描溶出伏安法;铝箔;镓
关键词(英文):
Linear scanning stripping voltammetry;Aluminum foil;Gallium
期刊:
理化检验-化学分册
ISSN:
1001-4020
年:
2011
卷:
47
期:
1
页码:
15-17,20
基金类别:
湖南省科技厅基金项目(2008FJ3024) 湖南省教育厅基金项目(08C174)
机构署名:
本校为第一机构
摘要:
用电化学沉积法将铋离子修饰在玻碳电极上,应用此铋膜修饰玻碳电极测定镓时,将试液在pH 5.4的六次甲基四胺-盐酸缓冲溶液中在-1.30 V处预还原40 s,然后在-1.30--0.50 V范围内扫描,使镓离子从修饰电极上溶出,实现了镓离子的溶出伏安法测定,在-1.01 V处可得镓离子的氧化峰电位,镓的质量浓度在0.002 8-0.21μg·L^-1范围内与其峰电流值呈线性关系,方法的检出限(3S/N)为0.7 ng·L^-1。方法用于测定铝箔中镓的含量,加标回收率在98.2%-103.8%之间。
摘要(英文):
Bismuth film modified glassy carbon electrode was prepared by electrochemical deposition of Bi^3+-ion on glassy carbon electrode(GCE).In the determination of Ga^3+-ion,the test solution in(CH2)6N4-HCl buffer solution of pH 5.4 was prereduced for 40 s at-1.30 V,Ga^3+-ion was then stripped from the electrode by differential pulse stripping voltammetery,scanning in the range from-1.30 to-0.50 V.Oxidation peak potential of Ga^3+-ion was observed at-1.01 V,at where linear relationship between values of peak current of Ga^3+-ion and its conc...

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