磁量子结构中电子自旋极化输运性质的研究

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成果类型：

期刊论文

作者：

李业华;王海镔;高峰;唐振坤;王玲玲

作者机构：

湖南大学,物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082

长沙职业技术学院,湖南,长沙,410111

衡阳师范学院,物理与电子信息科学系,湖南,衡阳,421008

[高峰] 衡阳师范学院

[王海镔; 唐振坤; 李业华; 王玲玲] 湖南大学

语种：

中文

关键词：

磁量子结构;电子输运;自旋极化

期刊：

衡阳师范学院学报

ISSN：

1673-0313

年：

2007

卷：

期：

页码：

59-63

DOI：

10.13914/j.cnki.cn43-1453/z.2007.06.014

基金类别：

高等学校博士点学科专项基金资助（20050532013）；

机构署名：

本校为其他机构

院系归属：

物理与电子工程学院

摘要：

研究了双磁垒量子结构中,磁场强度和偏压大小对电子自旋极化输运的影响。结果表明:零偏压下,电子在反平行等强磁垒结构中输运不会产生自旋极化;电子传输的阈值能量随磁场强度或偏置电压的增大而增大;在一定的磁场强度和偏压大小下,比较由半导体InAs和GaAs两类材料构成的量子结构中电子输运自旋极化度,发现它们的电子输运自旋极化度都随入射能量的增大而呈振荡衰减趋势,朗德有效因子高的InAs材料比GaAs的自旋极化度高出一个数量级。

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